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參數資料
| 型號： | BCW66GL |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 雙極型晶體管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | BCW66GL |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW66GLR | BJT |
| BCW67ALR | BJT |
| BCW68FL | BJT |
| BCW68FLR | BJT |
| BCW70LR | BJT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BCW66GLR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| BCW66GLT1 | 功能描述:TRANS NPN GP 45V 800MA SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| BCW66GLT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR NPN 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW66GLT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT GENRL TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW66GR | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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