型號(hào): | BCW89R |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 60V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至236 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
文件大小: | 51K |
代理商: | BCW89R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BCW89 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
BCW89 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
BCW93K | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR |
BCX17CSM | General Purpose PNP Transistor In a Hermetically Sealed Cermic Surface Mount Package For High Reliability Application(通用PNP晶體管(陶瓷表貼封裝,高可靠性應(yīng)用Vceo = 45V,Ic = 500mA)) |
BCX17LT3 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BCW89T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
BCW89TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCW89TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCW90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Medium Power Amplifiers and Switches |
BCW90K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR |