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參數資料
| 型號： | BCWBLT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 通用晶體管（NPN硅） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 315K |
| 代理商： | BCWBLT1 |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
M9–1/6
1
3
2
General Purpose Transistors
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
V
CEO
32
Vdc
Collector–Base Voltage
V
CBO
32
Vdc
Emitter–Base Voltage
V
EBO
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
I
C
100
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Total Device Dissipation
Alumina Substrate, (2) T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
Symbol
Max
Unit
P
D
225
mW
1.8
mW/°C
R
θ
JA
556
°C/W
P
D
300
2.4
mW
mW/°C
R
θ
JA
T
J
, T
stg
417
°C/W
°C
–55 to +150
DEVICE MARKING
BCW60ALT1 = AA, BCW60BLT1 = AB, BCW60DLT1 = AD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(I
C
= 2.0mAdc, I
E
= 0 )
V
(BR)CEO
32
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(I
E
= 1.0
μ
Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
I
CES
(V
CE
= 32 Vdc, )
—
20
nAdc
(V
CE
= 32 Vdc, T
A
= 150°C)
—
20
μ
Adc
Emitter Cutoff Current
(I
EB
= 4.0 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
—
20
nAdc
1. FR– 5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
BCW60ALT1
BCW60BLT1
BCW60DLT1
CASE 318–08, STYLE 6
SOT–23 (TO–236AB)
2
EMITTER
3
COLLECTOR
1
BASE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCWALT1 | General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
| BCX22 | Small Signal Transistors |
| BCX24 | Small Signal Transistors |
| BCX39 | Small Signal Transistors |
| BCX94 | Small Signal Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BCWDLT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
| BCWS/C26T3I | 制造商:EMERSON CONNECTIVITY SOLUTIONS 功能描述:TOOLS, CABLE STRIPPERS, Leaded Process Compatible:No, Peak Reflow Compatible (26 |
| BCX 41 | 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Bulk |
| BCX 41 E6327 | 功能描述:TRANSISTOR SW AF NPN SOT-23 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| BCX 41 E6433 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon AF Switching Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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