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參數資料
| 型號： | BCX53-10 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP medium power transistors |
| 中文描述： | 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-62, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | BCX53-10 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Jul 04
1999 Apr 19
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BCX51; BCX52; BCX53
PNP medium power transistors
book, halfpage
M3D109
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCX53 | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
| BCX53 | SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| BCX53-10-AK | SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| BCX53-16 | SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| BCX53-16-AL | SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BCX53-10 /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX53-10,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX53-10,135 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX53-10115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BCX53-10-AK | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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