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參數資料
| 型號： | BCX5616 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | BCX5616 |
SOT89 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 5 – MARCH 2001
COMPLEMENTARY TYPE – BCX5316
PARTMARKING DETAIL – BL
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
100
V
Collector-Emitter Voltage
80
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
2
A
Continuous Collector Current
1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
1
W
-65 to +150
°C
TYP.
MAX. UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown voltage
V
(BR)CBO
100
V
IC =100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
80
V
IC =10mA
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=10
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
0.1
20
μ
A
μ
A
V
CB
=30V
V
CB
=30V, T
amb
=150°C
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
V
CE(sat)
20
nA
V
EB
=4V
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
Collector-Emitter
Saturation Voltage
0.5
V
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
1.0
V
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
25
100
25
250
I
C
=5mA, V
=2V*
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
I
=50mA, V
CE
=10V,
f=100MHz
Transition Frequency
f
T
150
MHz
Output Capacitance
C
obo
15
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions.
BCX5616
C
C
B
E
SOT89
TBA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCX70 | Small Signal Transistors (NPN)(小信號晶體管（NPN）) |
| BCY39A | SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS IN TO-5 |
| BCY57 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package |
| BCY79-IX | PNP SILICON TRANSISTOR |
| BCY79-X | PNP SILICON TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| BCX56-16 /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX56-16 T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
| BCX56-16,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN MED 1A 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX56-16,135 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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