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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BCY59DD |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | CHIP |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 45V的五（巴西）總裁|芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | BCY59DD |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCY59 | NPN switching transistors |
| BCY59 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| BCY59DCSM | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | LLCC |
| BCY59IX | NPN switching transistors |
| BCY59VII | NPN switching transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCY59IX | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Noise Audio RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCY59-IX | 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:630 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 |
| BCY59VII | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN switching transistors |
| BCY59-VII | 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 |
| BCY59VIII | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Noise Audio RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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