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參數資料
| 型號： | BD139 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTORS |
| 中文描述： | NPN硅三極管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | BD139 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 04
1999 Apr 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BD135; BD137; BD139
NPN power transistors
book, halfpage
M3D100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD179-16 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-225AA |
| BD179 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| BD180-10 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
| BD175-10 | Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Current, It av:2.2A; Package/Case:6-SOIC; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:12V; Holding Current:50mA RoHS Compliant: NA |
| BD175-16 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BD139 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-126 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-126 |
| BD139_09 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN POWER TRANSISTORS |
| BD139-10 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Trnsistr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD13910S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD139-10S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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