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參數資料
| 型號： | BD239C |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | BD239C |
BD239C
NPN SILICON POWER TRANSISTOR
I
STMicroelectronicsPREFERRED
SALESTYPE
DESCRIPTION
The BD239C is a silicon epitaxial-base NPN
transistorin JedecTO-220 plasticpackage.
It is inteded for use in medium power linear and
switching applications.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
April 1999
1
2
3
TO-220
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CER
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Value
115
Unit
V
Collector-Emitter Voltage (R
BE
= 100
)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
100
V
5
V
2
4
A
A
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Total Dissipation at T
amb
≤
25
o
C
Storage Temperature
0.6
A
30
W
2
W
o
C
o
C
-65 to 150
Max. Operating Junction Temperature
150
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參數描述 |
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