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參數資料
| 型號： | BD241CFP |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Complementary Silicon Power Transistor(互補硅功率晶體管) |
| 中文描述： | 互補硅功率晶體管（互補硅功率晶體管） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | BD241CFP |
BD241CFP
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR
I
FULLY MOLDED ISOLATED PACKAGE
I
2000 V DC ISOLATION(U.L. COMPLIANT)
APPLICATIONS
I
GENERALPURPOSE SWITCHING
I
GENERALPURPOSE AMPLIFIERS
DESCRIPTION
The BD241CFP is silicon epitaxial-base NPN
transistor mounted in TO-220FP fully molded
isolated package.
It is inteded for power linear and switching
applications.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
January 1998
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CER
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
For PNP types voltage and current values are negative.
Parameter
Value
115
100
5
3
5
1
15
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C
Collector-Base Voltage (R
BE
= 100
)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
1
2
3
TO-220FP
1/4
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PDF描述 |
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參數描述 |
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| BD241D-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 120V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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