欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: BD678
廠商: 意法半導體
英文描述: COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
中文描述: 互補性的芯片功率達林頓晶體管
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 87K
代理商: BD678
BD677/A/679/A/681
BD678/A/680/A/682
COMPLEMENTARY SILICON
POWER DARLINGTON TRANSISTORS
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
I
COMPLEMENTARYPNP - NPN DEVICES
I
MONOLITHIC DARLINGTON
CONFIGURATION
I
INTEGRATED ANTIPARALLEL
COLLECTOR-EMITTER DIODE
APPLICATION
I
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL
EQUIPMENT
DESCRIPTION
The BD677, BD677A, BD679, BD679A and
BD681 are silicon epitaxial-base NPN power
transistors in monolithic Darlington configuration
mounted in Jedec SOT-32 plasticpackage.
They are intended for use in medium power linar
and switching applications
The complementary PNP types are BD678,
BD678A,
BD680,
BD680A
respectively.
and
BD682
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
R
1
Typ.= 7K
R
2
Typ.= 230
September 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
BD679/A
BD680/A
80
80
5
4
6
0.1
40
-65 to 150
150
Unit
NPN
PNP
BD677/A
BD678/A
60
60
BD681
BD682
100
100
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
For PNP types voltage and current values are negative.
V
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C
3
21
SOT-32
1/6
相關PDF資料
PDF描述
BD681 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BD680 Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管)
BD680A Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管)
BD682 Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管)
BD707 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
相關代理商/技術參數
參數描述
BD678 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-126
BD678/A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:(75.32 k)
BD67891MUV-E2 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:IC MOTOR DRIVER BD67891MUV-E2
BD678A 功能描述:達林頓晶體管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BD678AG 功能描述:達林頓晶體管 4A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
主站蜘蛛池模板: 深泽县| 贡嘎县| 新邵县| 阳朔县| 图木舒克市| 桑日县| 出国| 曲水县| 微博| 合阳县| 仁化县| 厦门市| 甘肃省| 宣恩县| 嫩江县| 潞西市| 安阳县| 湟中县| 玉环县| 当雄县| 土默特右旗| 额尔古纳市| 保康县| 民丰县| 灌云县| 胶南市| 定安县| 宝鸡市| 岫岩| 沿河| 平利县| 山丹县| 富川| 宜川县| 扎囊县| 神农架林区| 万安县| 孝感市| 云和县| 九寨沟县| 雅安市|