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參數資料
| 型號： | BD682A |
| 英文描述： | PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS |
| 中文描述： | 進步黨DARLIGNTON功率硅晶體管 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | BD682A |
PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS
BD676, 676A
BD678, 678A
BD680, 680A
BD682, 684
TO126
Plastic Package
For Use As Output Devices In Complementary General Purpose Amplifier Applications.
COMPLEMENTARY TO BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 & 683
BD678, 678A, 680, 680A ARE EQUIVALENT TO MJE700, 702, 703.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25oC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOLTEST CONDITION
BD676
BD676A BD678A BD680A
45
60
45
60
BD678
BD680 BD682 BD684
UNIT
Collector -Base Voltage
Collector -Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current
Base Current
Collector Power Dissipation @ Tc=25oC
Derate above 25oC
Operation and Storage Junction
Temperature Range
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
D
80
80
5.0
4.0
0.1
40
0.32
100
100
120
120
V
V
V
A
A
W
W/oC
oC
T
j
,T
stg
-55 to +150
THERMAL RESISTANCE
Junction to Case
R
th(j-c)
3.13
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25oC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL
TEST CONDITION
BD676
BD676A BD678A BD680A
>45
>60
<500
BD678
BD680 BD682 BD684
UNIT
Collector Emitter Voltage
Collector Cut off Current
BV
CEO
* I
C
=50mA, I
B
=0
I
CEO
V
CE
=Half RatedV
CEO
, <500
I
B
=0
I
CBO
V
CB
=Rated V
CBO
,I
E=
0
>80
<500
>100 >120
<500 >120
V
μ
A
Collector Cut off Current
<0.2
<0.2
<0.2
<0.2
<0.2
mA
V
CB
=Rated V
CBO
,I
E=
0
Ta=100oC
V
EB
=5V,I
C
=0
<2
<2
<2
<2
<2
mA
Emitter Cut off Current
DC Current Gain
I
EBO
h
FE
*
<2
<2
<2
<2
<2
mA
NON A
I
C
=1.5A, V
CE
=3V
I
C
=2A, V
CE
=3V
<-------------- >750--------------->
<----------------- >750----------------->
A
B
C
E
Transys
Electronics
L I
M
I T E
D
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD706 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB |
| BD705 | FUSE 1A 125V PICO FAST |
| BD710 | FUSE 7A00 125V 0500LS F PC T-R |
| BD743C(PI) | TRANSISTOR LEISTUNGS BIPOLAR |
| BD743 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BD682G | 功能描述:達林頓晶體管 4A 100V 40W PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BD682S | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BD682STU | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BD682T | 功能描述:達林頓晶體管 4A 100V 40W PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BD682TG | 功能描述:達林頓晶體管 4A 100V 40W PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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