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參數資料
型號: BDW93CFI
廠商: 意法半導體
英文描述: Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管)
中文描述: 互補硅功率達林頓晶體管(互補硅功率達林頓晶體管)
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 42K
代理商: BDW93CFI
BDW93CFI
BDW94CFI
COMPLEMENTARY SILICON POWER
DARLINGTON TRANSISTORS
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
I
MONOLITHIC DARLINGTON
CONFIGURATION
I
COMPLEMENTARYPNP - NPN DEVICES
I
INTEGRATED ANTIPARALLEL
COLLECTOR-EMITTER DIODE
APPLICATIONS
I
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL
EQUIPMENT
DESCRIPTION
The BDW93CFI, is a silicon epitaxial-base NPN
transistor in monolithic Darlington configuration
and is mounted in ISOWATT220 plastic package.
It is intented for use in powerlinear and switching
applications.
The complementaryPNP type is the BDW94CFI.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
BDW93CFI
BDW94CFI
100
100
12
15
0.2
40
-65 to 150
150
Unit
NPN
PNP
V
CBO
V
CEO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
For PNP types voltage and current values are negative.
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C
R
1
Typ. = 10 K
R
2
Typ. =150
1
2
3
ISOWATT220
1/4
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PDF描述
BDW94CFI Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管)
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參數描述
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BDW93CFTU 功能描述:達林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDW93C-S 功能描述:達林頓晶體管 100V 12A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDW93CTU 功能描述:達林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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