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參數資料
| 型號： | BDW94CFI |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|達林頓|進步黨| 100V的五（巴西）總裁| 12A條一（c）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | BDW94CFI |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BDW93CFP | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| BDW93 | POWER TRANSISTORS(12A,45-100V,80W) |
| BDW93A | POWER TRANSISTORS(12A,45-100V,80W) |
| BDW93B | POWER TRANSISTORS(12A,45-100V,80W) |
| BDW93C | POWER TRANSISTORS(12A,45-100V,80W) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BDW94CFP | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDW94CFTU | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDW94C-S | 功能描述:達林頓晶體管 100V 10A PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDW94-S | 功能描述:達林頓晶體管 45V 10A PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX 53BG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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