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參數資料
| 型號： | BDX53BFI |
| 元件分類： | 壓敏電阻 |
| 英文描述： | Metal Oxide Varistor (MOV); Voltage Rating AC, Vrms:115Vrms; Voltage Rating DC, Vdc:153VDC; Peak Surge Current (8/20uS), Itm:4500A; Clamping Voltage 8/20us Max :300V; Peak Energy (10/1000uS):35J; Capacitance, Cd:1100pF |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|達林頓|叩| 80V的五（巴西）總裁| 8A條一（c）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 194K |
| 代理商： | BDX53BFI |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BDX53BFP | Metal Oxide Varistor (MOV); Voltage Rating AC, Vrms:115Vrms; Voltage Rating DC, Vdc:153VDC; Peak Surge Current @ 8/20uS:1200A; Clamping Voltage 8/20us Max :300V; Peak Energy (10/1000uS):10J; Capacitance, Cd:200pF RoHS Compliant: Yes |
| BDX53E | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 140V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
| BDX54BFI | Metal Oxide Varistor (MOV); Voltage Rating AC, Vrms:130Vrms; Voltage Rating DC, Vdc:170VDC; Peak Surge Current (8/20uS), Itm:10000A; Clamping Voltage 8/20us Max :340V; Capacitance, Cd:1900pF; Package/Case:20mm Disc |
| BDX54E | Metal Oxide Varistor (MOV); Voltage Rating AC, Vrms:175Vrms; Voltage Rating DC, Vdc:225VDC; Peak Surge Current (8/20uS), Itm:10000A; Clamping Voltage 8/20us Max :455V; Capacitance, Cd:1400pF; Package/Case:20mm Disc |
| BDX54S | Metal Oxide Varistor (MOV); Voltage Rating AC, Vrms:275Vrms; Voltage Rating DC, Vdc:350VDC; Peak Surge Current (8/20uS), Itm:10000A; Clamping Voltage 8/20us Max :710V; Capacitance, Cd:900pF; Package/Case:20mm Disc |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BDX53BFP | 功能描述:達林頓晶體管 Silicon Pwr Trnsistr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX53BG | 功能描述:達林頓晶體管 8A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX53B-S | 功能描述:達林頓晶體管 80V 8A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX53BTU | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX53C | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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