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參數(shù)資料
| 型號： | BDX53BFP |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Silicon Power Darlington Transistor(硅功率達(dá)林頓晶體管) |
| 中文描述： | 硅功率達(dá)林頓晶體管（硅功率達(dá)林頓晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | BDX53BFP |
BDX53BFP
SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
APPLICATIONS:
I
GENERALPURPOSE SWITCHING AND
AMPLIFIER
I
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL
EQUIPMENT
I
FULLY MOLDED ISOLATED PACKAGE
I
2000 V DC ISOLATION(U.L. COMPLIANT)
DESCRIPTION
The BDX53BFP is a silicon epitaxial-base NPN
power
transistor
in
configuration and are mounted in T0-220FP fully
molded isolated package. It is intented for use in
hammer drivers, audio amplifiers and other
medium powerlinear and switching applications.
monolithic
Darlington
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
April 1998
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CBO
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
80
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
80
V
V
EBO
Emitter-base Voltage (I
C
= 0)
5
V
I
C
Collector Current
8
A
I
CM
Collector Peak Current (repetitive)
12
A
I
B
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
0.2
A
P
tot
29
W
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
o
C
T
j
Max. Operating Junction Temperature
150
o
C
1
2
3
T0-220FP
R
1
Typ. = 10 K
R
2
Typ. =150
1/4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BDX53B | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BDX53C | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX53C | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 |
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