- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄369459 > BF509 TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BF509 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 35V的五（巴西）總裁| 30mA的一（c）|至92 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | BF509 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF509S | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 |
| BF544 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | TO-92 |
| BF547W | NPN 1 GHz wideband transistor(NPN 1 GHz 寬帶晶體管) |
| BF547 | NPN 1 GHz wideband transistor(NPN 1GHz寬帶晶體管) |
| BF588 | ECONOLINE: RKZ - Safety standards and approvals: EN 60950 certified, rated for 250VAC (LVD test report)- Custom Solutions Available- 3kVDC & 4kVDC Isolation- UL94V-0 Package Material- Power Sharing on Output- Efficiency to 84% |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BF509S | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 |
| BF50G-1W | 制造商:L-com Inc 功能描述:TERMNATOR BNC F 50OHM W/GND CA |
| BF510 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:N-channel silicon field-effect transistors |
| BF510 T/R | 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| BF510,215 | 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
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