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參數資料
型號: BF547W
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN 1 GHz wideband transistor(NPN 1 GHz 寬帶晶體管)
中文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, SC-70, 3 PIN
文件頁數: 1/12頁
文件大小: 83K
代理商: BF547W
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of November 1992
File under Discrete Semiconductors, SC14
June 1994
DISCRETE SEMICONDUCTORS
Philips Semiconductors
BF547W
NPN 1 GHz wideband transistor
相關PDF資料
PDF描述
BF547 NPN 1 GHz wideband transistor(NPN 1GHz寬帶晶體管)
BF588 ECONOLINE: RKZ - Safety standards and approvals: EN 60950 certified, rated for 250VAC (LVD test report)- Custom Solutions Available- 3kVDC & 4kVDC Isolation- UL94V-0 Package Material- Power Sharing on Output- Efficiency to 84%
BF681 TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-50
BF720T3 TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-223
BF720 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
BF547WT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236VAR
BF550 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon RF Transistor (For common emitter amplifier stages up to 300 MHz For mixer applications in AM/FM radios and VHF TV tuners)
BF550 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED FREQ TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF550 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED FREQ TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF550,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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