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參數(shù)資料
| 型號： | BF720 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| 中文描述： | 0.05 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 376K |
| 代理商： | BF720 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF720 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BF721T3 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BF721 | PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| BF747W | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BF747 | NPN 1 GHz wideband transistor(NPN 1GHz寬帶晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BF720 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF720,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF720115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 3 |
| BF720T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-223 |
| BF720T1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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