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參數資料
| 型號： | BF859A |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運算，低反向泄露，低噪聲穩壓二極管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | BF859A |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1996 Dec 09
1999 Apr 14
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BF859
NPN high-voltage transistor
handbook, halfpage
M3D067
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF859 | NPN high-voltage transistors |
| BF861 | N-channel junction FETs |
| BF869S | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BF869 | NPN high-voltage transistors |
| BF869SA | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BF861 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel junction FETs |
| BF861A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel junction FETs |
| BF861A T/R | 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| BF861A,215 | 功能描述:射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| BF861A,215-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BF861A Series 25 V 6.5 mA 250 mW Surface Mount N-Channel Junction FETs-SOT-23-3 |
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