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參數資料
| 型號： | BF959RL1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-226AA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 20V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至226AA |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | BF959RL1 |
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
October, 2001 – Rev. 2
1
Publication Order Number:
BF959/D
BF959
VHF Transistor
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
20
Vdc
Collector–Base Voltage
30
Vdc
Emitter–Base Voltage
3.0
Vdc
Collector Current – Continuous
100
mAdc
Total Device Dissipation
@ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
625
5.0
mW
mW/
°
C
Total Device Dissipation
@ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to
+150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance,
Junction to Ambient
R
θ
JA
200
°
C/W
Thermal Resistance,
Junction to Case
R
θ
JC
83.3
°
C/W
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
BF959
TO–92
http://onsemi.com
TO–92
CASE 29
STYLE 21
5000 Units/Box
BF959ZL1
TO–92
2000/Ammo Pack
COLLECTOR
1
3
BASE
2
EMITTER
BF959RL1
TO–92
2000 Units/Box
MARKING DIAGRAM
BF
959
YWW
Y
W
= Year
= Work Week
3
2
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF959ZL1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-226AA |
| BF963 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SOT-103 |
| BF964SA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103VAR |
| BF964SB | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-103VAR |
| BF964 | N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BF959RL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 20V VHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF959-UV1/3 | 功能描述:紫外線燈 9mm X 59mm UV 365 nm RoHS:否 制造商:JKL Components 封裝:Bulk |
| BF959ZL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 20V VHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF959ZL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 20V VHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BF960 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-CHANNEL DUAL GATE MOS-FIELDEFFECT TETRODE.DEPLETION MODE |
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