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參數資料
| 型號： | BFG197W |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 10V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 343 |
| 文件頁數： | 1/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 804K |
| 代理商： | BFG197W |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG197 | NPN 7 GHz wideband transistor |
| BFG25X | NPN 5GHz wideband transistor(NPN 5G赫茲 寬帶晶體管) |
| BFG520XR | NPN 9GHz wideband transistor(NPN 9G赫茲 寬帶晶體管) |
| BFG621 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BFG67W | NPN 8 GHz wideband transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BFG197W/X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343 |
| BFG197W/XR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343R |
| BFG198 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 8 GHz wideband transistor |
| BFG198 T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG198,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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