- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄384144 > BFG67 (Vishay Intertechnology,Inc.) Silicon NPN Planar RF Transistor(硅NPN平面型射頻晶體管) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BFG67 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon NPN Planar RF Transistor(硅NPN平面型射頻晶體管) |
| 中文描述： | 硅NPN平面射頻晶體管（硅npn型平面型射頻晶體管） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | BFG67 |
BFG67
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 1, 11-Nov-99
1 (4)
Document Number 85074
Silicon NPN Planar RF Transistor
Electrostatic sensitive device.
Observe precautions for handling.
Applications
Low noise small signal amplifiers up to 2 GHz. This
transistor has superior noise figure and associated
gain performance at UHF, VHF and microwave
frequencies.
Features
Small feedback capacitance
Low noise figure
High transition frequency
13 579
2
1
4
3
94 9279
BFG67 Marking: V3
Plastic case (SOT 143)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter, 4 = Emitter
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
T
stg
Value
20
10
2.5
50
200
150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
T
amb
≤
60 C
–65 to +150
Maximum Thermal Resistance
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Test Conditions
Junction ambient
on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm
3
plated with 35 m Cu
Symbol
R
thJA
Value
450
Unit
K/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG92A | Silicon NPN Planar RF Transistor(射頻放大器應用的硅NPN平面型晶體管) |
| BFG92A | Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFG93A | Silicon NPN Planar RF Transistor(射頻放大器應用的硅NPN平面型晶體管) |
| BFG93A | Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFP181T | Silicon NPN Planar RF Transistor(低噪聲高增益放大器應用的硅NPN平面型晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BFG67 T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG67,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG67,235 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 10V 50mA 380mW 60 8GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG67/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND |
| BFG67/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 8 GHz wideband transistors |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。