型號: | BFM505 |
廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分類: | 晶體管 |
英文描述: | Dual NPN wideband transistor |
封裝: | BFM505<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<week 23, 2003,; |
文件頁數: | 1/12頁 |
文件大小: | 308K |
代理商: | BFM505 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BFN22 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
BFN23 | MS3126E14-19P |
BFP67 | Silicon NPN Planar RF Transistor |
BFP67R | Silicon NPN Planar RF Transistor |
BFP67W | Silicon NPN Planar RF Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BFM505 T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
BFM505,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
BFM505115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR DUAL NPN 8V SOT- 制造商:NXP 功能描述: |
BFM505T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 20V V(BR)CEO | 18MA I(C) | SOT-363 |
BFM520 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN DUAL 70MA 8V SOT363*NIC* |