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參數資料
| 型號： | BFS-183B |
| 元件分類： | 通用定值電感 |
| 英文描述： | 1 ELEMENT, 18000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | BFS-183B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFS-332B | 1 ELEMENT, 3300 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| BGA427 | 100 MHz - 1800 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| BGF113 | TVS DIODE |
| BGY46A | 400 MHz - 440 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| BH08B-XASS-T | 8 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BFS18P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?For broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 1 mA to 20 mA? |
| BFS18R | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:npn silicon rf transistor |
| BFS19 | 制造商:DIOTEC 制造商全稱:Diotec Semiconductor 功能描述:Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BFS19 /T3 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ TAPE-11 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFS19 T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ TAPE-7 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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