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參數資料
型號: BFS19
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN medium frequency transistor
中文描述: NPN中頻晶體管
封裝: BFS19<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFS19<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
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文件大小: 99K
代理商: BFS19
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of 1999 Apr 15
2004 Jan 05
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BFS19
NPN medium frequency transistor
相關PDF資料
PDF描述
BFS20 Epitaxial Planar NPN Transistor(High Frequency Application,VHF Band Amplifier Application)(外延平面NPN晶體管(高頻應用,VHF波段放大器應用))
BFS20 NPN medium frequency transistor
BFS25A NPN 5 GHz wideband transistor
BFS25A NPN 5 GHz wideband transistor
BFS505 NPN 9 GHz wideband transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
BFS19 /T3 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ TAPE-11 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFS19 T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ TAPE-7 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFS19,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFS19,235 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFS19215 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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