型號: | BFS19 |
廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | NPN medium frequency transistor |
中文描述: | NPN中頻晶體管 |
封裝: | BFS19<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFS19<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
文件頁數: | 1/7頁 |
文件大小: | 99K |
代理商: | BFS19 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BFS20 | Epitaxial Planar NPN Transistor(High Frequency Application,VHF Band Amplifier Application)(外延平面NPN晶體管(高頻應用,VHF波段放大器應用)) |
BFS20 | NPN medium frequency transistor |
BFS25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
BFS25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
BFS505 | NPN 9 GHz wideband transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BFS19 /T3 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ TAPE-11 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
BFS19 T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ TAPE-7 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
BFS19,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
BFS19,235 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
BFS19215 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |