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參數資料
| 型號： | BLW89 |
| 英文描述： | RF Power Transistors for UHF |
| 中文描述： | 射頻功率晶體管的超高頻 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | BLW89 |
DATA SHEET
File under Discrete Semiconductors, SC08b
1996 Feb 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
Line-ups
RF Power Transistors for UHF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLT14 | RF Power Transistors for UHF |
| BLT62 | RF Power Transistors for UHF |
| BLT72 | RF Power Transistors for UHF |
| BLW91 | RF Power Transistors for UHF |
| LG0101 | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BLW898 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF linear power transistor |
| BLW90 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor |
| BLW91 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF Power Transistors for UHF |
| BLW96 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLW96/01,112 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 Dual N-CH 340W 10mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
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