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參數資料
| 型號： | BLX11 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-5 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 100V的五（巴西）總裁|甲一（c）|至5 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | BLX11 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLX12 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-5 |
| BLX16 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
| BLX17 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
| BLX18 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
| BLX19 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-210AC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BLX12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-5 |
| BLX1288/PG85-J10 | 制造商:Shure 功能描述:DUAL CHANNEL WIRELESS SYSTEM |
| BLX13C | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLX14 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| BLX15 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
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