- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369499 > BSM200GA120D High Efficient Rectifier Diodes PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BSM200GA120D |
| 英文描述： | High Efficient Rectifier Diodes |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 200安培我（丙） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | BSM200GA120D |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM200GA120DN2 | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM200GA160D | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM200GA170DLC | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM200GA170DN2 | High Efficient Rectifier Diodes |
| BSM200GAL120DLC | High Efficient Rectifier Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSM200GA120DLC | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM200GA120DLCS | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM200GA120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM200GA120DN2C | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM200GA120DN2F | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。