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參數(shù)資料
| 型號： | BSM200GA170DN2S |
| 英文描述： | High Efficient Rectifier Diodes |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 1.7KV五（巴西）國際消費電子展| 290A條一（c） |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | BSM200GA170DN2S |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM100GB100D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 100A I(C) |
| BSM100GB120D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) |
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| BSM100GB160D | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 135A I(C) |
| BSM20GD60DN2E3224 | High Efficient Rectifier Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSM200GA170DN2S C | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| BSM200GA170DN2S_E3256 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM200GAL120DLC | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM200GAL120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A GAL CH RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM200GAR120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A GAR CH RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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