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參數(shù)資料
型號(hào)： BSM200GB170DLC
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RP Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 09V; Output Voltage (Vdc): 05V; Power: 1W; Pot-Core Transformer - separated windings; High 5.2kVDC Isolation in compact size; Optional Continuous Short Circuit Protected; Pin Compatible with RH & RK Series; Approved for Medical Applications; UL and EN Safety Approvals; Efficiency to 82%
中文描述： 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 81K
代理商： BSM200GB170DLC
Technische Information / Technical Information
BSM 200 GB 170 DLC
IGBT-Module
IGBT-Modules
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
1700
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T
C
= 80 °C
I
C,nom.
200
A
T
C
= 25 °C
I
C
400
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collctor current
t
P
= 1 ms, T
C
=80°C
I
CRM
400
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
=25°C, Transistor
P
tot
1660
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
200
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tp = 1 ms
I
FRM
400
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
I
2
t
11.000
A
2
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
3,4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I
C
= 200A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C
V
CE sat
-
2,6
3,2
V
I
C
= 200A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C
-
3,1
3,6
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I
C
= 9mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE(th)
4,5
5,5
6,5
V
Gateladung
gate charge
V
GE
= -15V ... +15V
Q
G
-
2,4
-
μC
Eingangskapazitt
input capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
-
15
-
nF
Rückwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
res
-
0,7
-
nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
CES
-
0,05
0,5
mA
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-
6
mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
-
-
200
nA
prepared by: Regine Mallwitz
date of publication: 28.11.2000
approved by: Christoph Lübke; 28.11.2000
revision: 2 (Series)
1(8)
BSM200GB170DLC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM200GB60DLC Technicshe Information
BSM25GD120DN2 IGBT Power Module
BSM25GD120DN2E3224 IGBT Power Module
BSM35GB120DLC vorlafige Daten preliminary data
BSM75GB60DLC Hchstzulssige Werte Maximum rated values
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM200GB60DLC 功能描述:IGBT 模塊 600V 200A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 230A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:730W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.45V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:9nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
BSM200GD60DLC 功能描述:IGBT 模塊 600V 200A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GT120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GT120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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