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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BSM75GB60DLC |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Hchstzulssige Werte Maximum rated values |
| 中文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-7 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | BSM75GB60DLC |
Technische Information / Technical Information
BSM 75 GB 60 DLC
IGBT-Module
IGBT-Modules
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
600
V
T
c
= 75°C
I
C,nom.
75
A
T
c
= 25°C
I
C
100
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1ms, T
c
= 75°C
I
CRM
150
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
c
= 25°C, Transistor
P
tot
355
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
75
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
P
= 1ms
I
FRM
150
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
I
2
t
450
A
2
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
V
ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
I
C
= 75A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C
-
1,95
2,45
V
I
C
= 75A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C
-
2,20
-
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I
C
= 1,5mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE(th)
4,5
5,5
6,5
V
Eingangskapazitt
input capacitance
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
-
3,3
-
nF
Rückwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
res
-
0,3
-
nF
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
-
1
500
μA
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-
1
-
mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
-
-
400
nA
prepared by: Andreas Vetter
date of publication: 2000-04-26
approved by: Michael Hornkamp
revision: 1
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
V
CE sat
I
CES
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
1 (8)
BSM 75 GB 60 DLC
2000-02-08
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSO4822 | OptiMOS Small-Signal-Transistor |
| BSP75G | 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch |
| BSP75GTA | 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch |
| BSP75GTC | 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch |
| BSR17A | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSM75GB60DLCHOSA1 | 功能描述:IGBT MODULE 600V 100A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:355W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.45V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 |
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| BSM75GD120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 75A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM75GD170DL | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| BSM75GD60DLC | 功能描述:IGBT 模塊 600V 75A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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