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參數資料
| 型號： | BSM50GP120 |
| 英文描述： | High Voltage Rectifer Diodes |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 335K |
| 代理商： | BSM50GP120 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM50GP602 | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSM50GP60G | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSM50GB100D | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSM50GB120D | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSM50GB160D | High Voltage Rectifer Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSM50GP120BOSA1 | 功能描述:IGBT MODULE 1200V 50A 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態:在售 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 |
| BSM50GP60 | 功能描述:IGBT 模塊 600V 50A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM50GP60_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 70A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM50GP602 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| BSM50GP60G | 功能描述:IGBT 模塊 600V 50A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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