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參數資料
| 型號： | BSN6010 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）決策支持系統|采用SOT - 23 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 207K |
| 代理商： | BSN6010 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSN6010L | High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes |
| BSO215C | High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes |
| BSO220N | High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes |
| BSO301SN | High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes |
| BSO304SN | Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSN6020/PGGU | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| BSN6020/PPGE | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| BSN6040AGGU | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| BSN6040AGHZ | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| BSO 612 CV G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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