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參數資料
| 型號： | BSP33 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Medium Power Amplifier(硅平面外延工藝PNP晶體管) |
| 中文描述： | 中等功率放大器（硅平面外延工藝進步黨晶體管） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | BSP33 |
BSP30/31
BSP32/33
MEDIUM POWER AMPLIFIER
ADVANCE DATA
I
SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP
TRANSISTORS
I
MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR
APPLICATION IN SURFACE MOUNTING
CIRCUITS
I
GENERAL PURPOSE MAINLY INTENDED
FOR USE IN MEDIUM POWER INDUSTRIAL
APPLICATION AND FOR AUDIO AMPLIFIER
OUTPUT STAGE
I
NPN COMPLEMENTS ARE BSP40, BSP41,
BSP42 AND BSP43 RESPECTIVELY
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
October 1995
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
BSP30/BSP31
-70
-60
-70
BSP32/BSP33
-90
-80
-90
V
CBO
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Collector-Emitter Voltage (R
BE
= 1K
)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
V
V
V
V
A
A
W
o
C
o
C
-5
-1
-0.1
2
-65 to 150
150
1
2
2
3
SOT-223
1/4
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PDF描述 |
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