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參數資料
| 型號： | BSR32 |
| 元件分類： | TVS-瞬態抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 進步黨中等功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | BSR32 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of September 1994
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Apr 01
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BSR30; BSR31; BSR32; BSR33
PNP medium power transistors
book, halfpage
M3D109
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSR40 | NPN medium power transistors |
| BSR42 | NPN medium power transistors |
| BSR42 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| BSR51 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BSR56L | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSR33 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| BSR33,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSR33,135 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin (3+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSR33115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP 80V 0.1A SOT89 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPLR TRANSISTOR MED PWR PNP |
| BSR33QTA | 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT-89 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2.1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1,000 |
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