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參數資料
| 型號： | BSS62 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Darlington transistors |
| 中文描述： | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | BSS62 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of September 1994
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 May 14
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BSS61; BSS62
PNP Darlington transistors
M3D111
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS62T1 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BSS72S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 200A I(C) | TO-18 |
| BSS73CSM | NPN |
| BSS73DCSM | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BSS73 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSS62A | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BSS62T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEDIUM POWER PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
| BSS63 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ 100V/ 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS63 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS63,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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