型號: | BSS82C-CM |
廠商: | Zetex Semiconductor |
英文描述: | SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS |
中文描述: | SOT23封裝進步黨硅平面開關晶體管 |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 37K |
代理商: | BSS82C-CM |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BSS92 | P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-200V,夾斷電流-0.15A的P溝道增強型MOSFET晶體管) |
BT138 | TRIACS LOGIC LEVEL |
BT1 | SOT89 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
BTA06B | Standard Triacs(標準雙向可控硅) |
BTA06C | Standard Triacs(標準雙向可控硅) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BSS82CE6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
BSS82CL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23 |
BSS82CTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BSS82CTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BSS83 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-143 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-143 |