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參數資料
| 型號： | BSS84T1 |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | BSS84T1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS84T3 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| BSS84 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS84-7 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS84 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| BSS89 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSS84T3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 100MA I(D) | TO-236AB |
| BSS84TA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSS84TC | 功能描述:MOSFET P-Chnl 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSS84TR | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BSS84V | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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