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參數資料
| 型號： | BUH515FP |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220FP |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 700V的五（巴西）總裁| 8A條一（c）|至220FP |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 362K |
| 代理商： | BUH515FP |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUH615 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218VAR |
| BUH713 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-218VAR |
| BUJ100B | TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| BUJ103AU | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
| BUJ105AX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUH517 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN ISOWATT-218 |
| BUH517 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN ISOWATT-218 |
| BUH517D | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:1700V 8A 60W Bce St Micro Transistor NPN |
| BUH51G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 800V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUH615 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218VAR |
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