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參數(shù)資料
型號: BUH713
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-218VAR
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 700V的五(巴西)總裁| 10A條一(c)|至218VAR
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大小: 350K
代理商: BUH713
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUJ100B TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BUJ103AU Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
BUJ105AX Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
BUJ106AX Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
BUJ403AX Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUH715 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
BUH715AF 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
BU-IOP32D 制造商:Cooper Bussmann 功能描述:SIGNAL SURGE DIVERTER, 2 X 2-WIRE / 1 X - Bulk 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:SIGNAL SURGE DIVERTER, 2 X 2-WIRE / 1 X
BUJ100 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ100,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin SPT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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