型號: | BUJ103A |
廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Silicon diffused power transistor |
封裝: | BUJ103A<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,; |
文件頁數: | 1/13頁 |
文件大?。?/td> | 146K |
代理商: | BUJ103A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BUJ105AB | NPN power transistor |
BUJ105AD | NPN power transistor |
BUJ105A | NPN power transistor |
BUJ106A | NPN power transistor |
BUJ302AD | NPN power transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BUJ103A,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BUJ103A127 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
BUJ103AD | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistor |
BUJ103AD,118 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin(2+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BUJ103AU | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |