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參數資料
| 型號： | BUJ105AB |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN power transistor |
| 封裝： | BUJ105AB<SOT404 (D2PAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT404.html<1<week 1, 2005,; |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | BUJ105AB |
DATA SHEET
Product
s
pecification
October 2001
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BUJ105AB
Silicon Diffused Power Transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUJ105AD | NPN power transistor |
| BUJ105A | NPN power transistor |
| BUJ106A | NPN power transistor |
| BUJ302AD | NPN power transistor |
| BUJ302AX | NPN power transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUJ105AB,118 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(2+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUJ105AD | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistor |
| BUJ105AD,118 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(2+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUJ105AX | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BUJ106A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
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