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參數(shù)資料
| 型號： | BUJ302AX |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN power transistor |
| 封裝： | BUJ302AX<SOT186A (TO-220F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT186A.html<1<,; |
| 文件頁數(shù)： | 1/13頁 |
| 文件大小： | 522K |
| 代理商： | BUJ302AX |
1.
Product profile
1.1 General description
High-voltage, high-speed planar-passivated NPN power switching transistor in a
SOT186A (TO-220F) plastic package.
1.2 Features and benefits
Fast switching
High voltage capability
Isolated package
Low thermal resistance
1.3 Applications
DC-to-DC converters
High-frequency electronic lighting
ballast applications
Inverters
Motor control systems
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
I
C
BUJ302AX
NPN power transistor
Rev. 02 — 28 March 2011
Product data sheet
T-2F
Quick reference data
Parameter
collector current
Conditions
see
Figure 1
; see
Figure 2
;
see
Figure 4
T
h
≤
25 °C; see
Figure 3
Min
-
Typ
-
Max
4
Unit
A
P
tot
total power
dissipation
collector-emitter
peak voltage
-
-
26
W
V
CESM
V
BE
= 0 V
-
-
1050 V
Static characteristics
h
FE
DC current gain
I
C
= 0.1 A; V
CE
= 5 V; T
h
= 25 °C;
see
Figure 11
I
C
= 0.8 A; V
CE
= 3 V; T
h
= 25 °C;
see
Figure 12
48
66
100
25
42
50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUJ302A | NPN power transistor |
| BUJ303AD | NPN power transistor |
| BUJ303AX | NPN power transistor |
| BUJ303A | NPN power transistor |
| BUJ303B | NPN power transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUJ302AX,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 400 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUJ303A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUJ303A,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUJ303A_11 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN power transistor Low thermal resistance Fast switching |
| BUJ303A127 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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