型號: | BUJ302A |
廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | NPN power transistor |
封裝: | BUJ302A<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<,; |
文件頁數: | 1/13頁 |
文件大小: | 523K |
代理商: | BUJ302A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BUJ303AD | NPN power transistor |
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BUJ303A | NPN power transistor |
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BUJ403A | NPN power transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BUJ302A,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 400 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BUJ302AD | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 4A 1050V DPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 4A, 1050V, DPAK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 4A, 1050V, DPAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:66; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
BUJ302AD,118 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 400 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BUJ302AX | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 4A 1050V TO220F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 4A, 1050V, TO220F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 4A, 1050V, TO220F; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Power Dissipation Pd:26W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:66; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
BUJ302AX,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 400 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |