型號: | BUJD203AX |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | NPN power transistor with integrated diode |
中文描述: | 4 A, 425 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
封裝: | PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3 |
文件頁數: | 1/14頁 |
文件大小: | 200K |
代理商: | BUJD203AX |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BUJD203A | NPN power transistor with integrated diode |
BUK6207-55C | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
BUK6209-30C | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
BUK6210-55C | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
BUK6211-75C | N-channel TrenchMOS FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BUJD203AX,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 425 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BU-JSB3100L | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
BUK 9575-100A | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bulk |
BUK100-50DL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
BUK100-50GL | 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |