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參數資料
| 型號： | BUK6C1R5-40C |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
| 中文描述： | 319 A, 40 V, 0.0021 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-7 |
| 文件頁數： | 1/13頁 |
| 文件大小： | 205K |
| 代理商： | BUK6C1R5-40C |
1.
Product profile
1.1 General description
Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET)
in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and
qualified to the appropriate AEC standard for use in high-performance automotive
applications.
1.2 Features and benefits
AEC Q101 compliant
High current handling capability, up to
320 A
Low conduction losses due to very low
on-state resistance
Suitable for standard and logic level
gate drive sources
Suitable for thermally demanding
environments due to 175 °C rating
1.3 Applications
12 V Automotive systems
Electric and electro-hydraulic power
steering
Motors, lamps and solenoids
Start-Stop micro-hybrid applications
Transmission control
Ultra high performance power
switching
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
V
DS
BUK6C1R5-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev. 1 — 5 August 2011
Objective data sheet
DPK
Quick reference data
Parameter
drain-source
voltage
drain current
Conditions
T
j
≥
25 °C; T
j
≤
175 °C
Min
-
Typ
-
Max
40
Unit
V
I
D
V
GS
= 10 V; T
mb
= 25 °C;
see
Figure 1
T
mb
= 25 °C; see
Figure 2
-
-
319
A
P
tot
total power
dissipation
-
-
300
W
Static characteristics
R
DSon
drain-source
on-state resistance
V
GS
= 10 V; I
D
= 90 A;
T
j
= 25 °C; see
Figure 11
-
1.15
1.4
m
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| BUK6C3R3-75C,118 | 功能描述:MOSFET N-chan TrenchMOS FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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