- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369569 > BUK9775-56 (NXP Semiconductors N.V.) TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BUK9775-56 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET) |
| 中文描述： | TrenchMOS（商標）場效應晶體管邏輯電平（TrenchMOS（商標）晶體管邏輯電平場效應管） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | BUK9775-56 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9775-55
GENERAL DESCRIPTION
QUICK REFERENCE DATA
N-channel enhancement mode logic
level field-effect power transistor in a
plastic
full-pack
’
trench
’ technology.
featuresverylow on-state resistance
and has integral zener diodes giving
ESD protection up to 2kV. It is
intended for use in automotive and
general
purpose
applications.
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
envelope
The
using
device
V
DS
I
D
P
tot
T
j
R
DS(ON)
Drain-source voltage
Drain current (DC)
Total power dissipation
Junction temperature
Drain-source on-state
resistance
55
11.7
19
150
75
V
A
W
C
m
V
GS
= 5 V
switching
PINNING - SOT186A
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PIN
DESCRIPTION
1
gate
2
drain
3
source
case isolated
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL
V
DS
V
DGR
±
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
tot
T
stg
, T
j
PARAMETER
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC)
Drain current (DC)
Drain current (pulse peak value)
Total power dissipation
Storage & operating temperature
CONDITIONS
-
R
GS
= 20 k
-
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
- 55
MAX.
55
55
10
11.7
7.4
47
19
150
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
C
ESD LIMITING VALUE
SYMBOL
V
C
PARAMETER
Electrostatic discharge capacitor
voltage, all pins
CONDITIONS
Human body model
(100 pF, 1.5 k
)
MIN.
-
MAX.
2
UNIT
kV
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
R
th j-mb
PARAMETER
Thermal resistance junction to
heatsink
Thermal resistance junction to
ambient
CONDITIONS
with heatsink compound
TYP.
-
MAX.
6.5
UNIT
K/W
R
th j-a
in free air
55
-
K/W
d
g
s
1 2 3
case
April 1998
1
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK9840-56 | TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET) |
| BUK9907-40ATC | TrenchPLUS logic level FET |
| BUK993-60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | SOT-263 |
| BUK995-60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | SOT-263 |
| BUK9L06-55B | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUK98150-55 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| BUK98150-55 /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK98150-55,135 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK98150-55/CUF | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:330pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8.3W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 5A，5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 |
| BUK98150-55A | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 55V 5.5A SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH 55V 5.5A SOT223 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。