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參數資料
| 型號： | BUK9L06-55B |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 75A條（丁）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 1/13頁 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | BUK9L06-55B |
BUK9L06-55B
TrenchMOS logic level FET
Rev. 01 — 13 August 2002
Product data
M3D794
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using
Philips High-Performance Automotive TrenchMOS technology, featuring very low
on-state resistance.
Product availability:
BUK9L06-55B in SOT78C (TO-220AB).
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
I
TrenchMOS technology
I
175
°
C rated
I
Q101 compliant
I
Logic level compatible.
I
Automotive systems
I
Motors, lamps and solenoids
I
12 V and 24 V loads
I
General purpose power switching.
Table 1:
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
I
D
drain current (DC)
P
tot
total power dissipation
T
j
junction temperature
R
DSon
drain-source on-state resistance
Quick reference data
Conditions
Typ
-
-
-
-
5.1
-
4.8
Max
55
139
234
175
6.0
6.4
5.4
Unit
V
A
W
°
C
m
m
m
T
mb
= 25
°
C; V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°
C
T
j
= 25
°
C; V
GS
= 5 V; I
D
= 25 A
T
j
= 25
°
C; V
GS
= 4.5 V; I
D
= 25 A
T
j
= 25
°
C; V
GS
= 10 V; I
D
= 25 A
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