型號: | BUR50 |
廠商: | SEMELAB LTD |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Bipolar NPN Device |
中文描述: | 70 A, 125 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE |
封裝: | HERMETIC SEALED, METAL, TO3, 2 PIN |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 11K |
代理商: | BUR50 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BUW76 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
BUY39 | NPN |
BUY70B | Safety Sign; Legend:Exit (Double Arrow); External Height:7"; External Width:10"; Body Material:Polyester; Color:Red/White RoHS Compliant: NA |
BUV51 | S12 MARLIN2 128K FLASH |
BUX15 | 10AWG BLACK 105X30 PVC600V 105 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BUR50_09 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:SILICON MULTI-EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
BUR50S | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. |
BUR51 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Current RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BUR51S | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
BUR52 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY STM 08/01 TO-3 NPN PWR DARL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |