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參數資料
| 型號： | BUR51 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | High Current NPN Silicon Transistor(高電流NPN硅晶體管) |
| 中文描述： | 大電流NPN硅晶體管（高電流npn型硅晶體管） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | BUR51 |
BUR51
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE
I
NPN TRANSISTOR
DESCRIPTION
The BUR51 is a silicon multiepitaxial planar NPN
transistor in modified Jedec TO-3 metal case,
intented for use in switching and linear
applications in military and industrial equipment.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
1
2
TO-3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Value
300
200
10
60
80
16
350
-65 to 200
200
Unit
V
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
= 10 ms)
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
1/4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUR51S | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
| BUR52 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY STM 08/01 TO-3 NPN PWR DARL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUR52_12 | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS |
| BUR52S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN |
| BUR53D | 制造商:SUNLED 制造商全稱:SunLED Corporation 功能描述:T-1 3/4 (5mm) BLINKING LED LAMP |
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